Desbloquear o potencial do seu computador
O SSD da Série 850 EVO da Samsung é o SSD mais vendido da indústria * e é perfeito para a computação diária. Alimentado pela tecnologia V-NAND da Samsung, o 850 EVO transforma a experiência de computação diária com desempenho e resistência otimizados. Projetado para caber PCs de mesa, laptops e ultrabooks, o 850 EVO vem em uma ampla gama de capacidades e fatores de forma.
Desempenho sem compromissos
O 850 EVO otimiza o desempenho para suas tarefas diárias de computação, com velocidades de gravação sequenciais de até 520 MB / s com tecnologia TurboWrite e velocidades de leitura seqüenciais de até 540 MB / s. Além disso, o modo RAPID para aumentar ainda mais o desempenho para velocidades de processamento de dados até 2x mais rápidas, utilizando a memória do PC não utilizada como armazenamento de cache.
Garantia de resistência e confiabilidade
O Samsung 850 EVO mantém alta performance, resistência otimizada, criptografia baseada em hardware AES de 256 bits ***, Dynamic Thermal Guard.
*** A criptografia baseada em hardware AES de 256 bits é compatível com soluções avançadas de gerenciamento de segurança, como IEEE® 1667 e TCG ™ Opal.
Tipo de Produto
Disco de Estado Sólido
Series EVO
Interface
Interface SATA 6Gb / s, compatível com a interface SATA 3Gb / s & SATA 1.5Gb / s
Capacidade
250 GB * A capacidade efetiva efetiva pode ser menor (devido à formatação, particionamento, sistema operacional, aplicativos ou outros)
Velocidade de leitura seqüencial
Até 540 MB / s Sequential Read * O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema
Velocidade de gravação sequencial
Até 520 MB / s Gravação Seqüencial * O desempenho pode variar com base no hardware e configuração do sistema
Velocidade de leitura aleatória
Random Read (4KB, QD32): Até 97.000 IOPS Random Read * O desempenho pode variar de acordo com o hardware e configuração do sistema Random Read (4KB, QD1): Até 10.000 IOPS Random Read * O desempenho pode variar de acordo com o hardware e configuração do sistema
Velocidade de gravação aleatória
Write Random (4KB, QD32): até 88.000 IOPS Random Write * O desempenho pode variar com base no hardware e configuração do sistemaRandom Write (4KB, QD1): Até 40.000 IOPS Random Write * O desempenho pode variar de acordo com o hardware e configuração do sistema
Velocidade da memória
Samsung 32 camadas 3D V-NANDSamsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
Controlador
Samsung MGX Controller
Trim Support
sim
Criptografia AES
Criptografia AES de 256 bits (Classe 0), TCG / Opal, IEEE1667 (Unidade criptografada)
Armazenamento interno
sim
Prova de temperatura
sim
Consumo de energia (W)
50 MW * O consumo real de energia pode variar dependendo do hardware e configuração do sistema * Média: 2,4 W * Máximo: 2,4 W (modo Burst) * O consumo real de energia pode variar dependendo do hardware e configuração do sistema
Voltagem
5V ± 5% Tensão admissível
Confiabilidade (MTBF)
Fiabilidade de 2 milhões de horas (MTBF)
Temperatura de operação
32ºF - 158ºF
2,5 "SATA III